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存儲(chǔ)技術(shù)的革命性突破我國(guó)首款相變存儲(chǔ)器芯片研制成功

更新時(shí)間:2018-03-19 12:28:43 來(lái)源：vvv-eee-multi-tld-no-pending.com 編輯：本站編輯　已被瀏覽 次 查看評(píng)論
張家界旅游網(wǎng) 公眾微信號(hào) 新華社上海4月17日電（沈從樂(lè) 羅爭(zhēng)光）記者17日從中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉，我國(guó)第一款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的相變存儲(chǔ)器（PCRAM）芯片研制成功，打破了存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期被國(guó)外壟斷的局面，產(chǎn)業(yè)化前景可觀。
　　據(jù)專(zhuān)家介紹，相比于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器利用電荷形式進(jìn)行存儲(chǔ)，相變存儲(chǔ)器主要利用可逆相變材料晶態(tài)和非晶態(tài)的導(dǎo)電性差異實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)，被稱(chēng)為是“操縱原子排列而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)”的新型存儲(chǔ)器。
　　中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員、PCRAM研究項(xiàng)目負(fù)責(zé)人宋志棠表示，PCRAM相變存儲(chǔ)器不僅綜合了目前半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲(chǔ)器的優(yōu)良特性，而且還具有微縮性能優(yōu)越、非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長(zhǎng)、數(shù)據(jù)穩(wěn)定性強(qiáng)、功耗低等諸多優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是下一代非揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。
　　目前，英特爾、美光、三星等國(guó)際知名半導(dǎo)體公司均在PCRAM產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中取得有效進(jìn)展，其中美光有多款替代NOR　FLASH的產(chǎn)品，三星已研制出最大容量為512Mb的PCRAM試驗(yàn)芯片，并投入量產(chǎn)，在手機(jī)存儲(chǔ)卡中開(kāi)始應(yīng)用。
　　上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所已制成的PCRAM試驗(yàn)芯片存儲(chǔ)容量為8Mb，在8英寸硅片上的每一塊存儲(chǔ)芯片，存儲(chǔ)單元成品率達(dá)99%以上。經(jīng)語(yǔ)音演示，已證實(shí)該芯片可實(shí)現(xiàn)讀、寫(xiě)、擦的存儲(chǔ)器全部功能。截至2010年底，該款PCRAM相變存儲(chǔ)器已經(jīng)獲得50多項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)，150多項(xiàng)專(zhuān)利公開(kāi)，相關(guān)專(zhuān)利分布涵蓋從材料、結(jié)構(gòu)工藝、設(shè)計(jì)到測(cè)試的芯片生產(chǎn)全部流程。專(zhuān)家表示，此款PCRAM芯片將可取代NOR　FLASH等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于手機(jī)存儲(chǔ)、射頻識(shí)別等多種消費(fèi)型電子產(chǎn)品中。
　　宋志棠介紹說(shuō)，我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模目前已接近1800億元，但由于長(zhǎng)期缺乏具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的制造技術(shù)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器生產(chǎn)成本極為高昂?！癙CRAM相變存儲(chǔ)器自主研制成功，使我國(guó)的存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)真正擺脫國(guó)外的技術(shù)壟斷?！彼硎?，該款PCRAM相變存儲(chǔ)器預(yù)計(jì)將于今年年內(nèi)投入量產(chǎn)，“我們計(jì)劃在10年內(nèi)，將中國(guó)的存儲(chǔ)器自給率提高到60%。” 張家界旅游網(wǎng)

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